[实用新型]一种高集成度高PF智能调光电路结构

摘要

本实用新型公开了一种高集成度高PF智能调光电路结构，包括输入端L、输入端N、整流桥BRG、恒流芯片U1、信号产生芯片U2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电感L1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、功率开关管M1、功率开关管M2、辅助绕组AUX、输出端正极及输出端负极。有益效果：PWM信号是由U2接收手机蓝牙设备的控制信号并转换成恒高、恒低或0‑100％占空比的脉冲信号来实现的，进而达到智能调光的目的。

主权项

1.一种高集成度高PF智能调光电路结构，其特征在于，包括输入端L、输入端N、整流桥BRG、恒流芯片U1、信号产生芯片U2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电感L1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、功率开关管M1、功率开关管M2、辅助绕组AUX、输出端正极及输出端负极，其中，所述输入端L分别与所述整流桥BRG的第一端及所述二极管D2的正极连接，所述输入端N分别与所述整流桥BRG的第三端及所述二极管D3的正极连接，所述整流桥BRG的第二端接地，所述整流桥BRG的第四端分别与所述二极管D1的负极、所述电阻R4的一端、所述电容C4的一端及所述输出端正极连接，所述二极管D2的负极分别与所述二极管D3的负极、所述电阻R5的一端及所述功率开关管M2的漏极连接，所述功率开关管M2的栅极分别与所述电阻R5的另一端及所述恒流芯片U1上引脚HV连接，所述功率开关管M2源极分别与所述电容C1及所述恒流芯片U1上引脚VDD连接，所述恒流芯片U1上引脚DRV与所述功率开关M1的栅极连接，所述功率开关M1的漏极分别与所述二极管D1的正极及所述电感L1的一端连接，所述电感L1的另一端分别与所述电阻R4的另一端、所述电容C4的另一端及所述输出端负极连接，并且，所述输出端正极与所述输出端负极之间设置有LED灯组，所述功率开关M1的源极分别与所述恒流芯片U1上引脚CS及所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端接地，所述恒流芯片U1上引脚COMP通过电容C3接地，所述恒流芯片U1上引脚GND接地，所述恒流芯片U1上引脚DIM与所述信号产生芯片U1的第一端连接，所述信号产生芯片U2分别与所述电容C6的一端及所述恒流芯片U1上引脚LDO连接，所述电容C6的另一端分别与所述信号产生芯片U2的第三端、所述辅助绕组AUX的一端、所述电阻R2的一端、所述电容C5的一端连接并接地，所述辅助绕组AUX的另一端与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端分别与所述电阻R2的另一端、所述电容C5的另一端及所述恒流芯片U1上引脚FB连接。