[实用新型]一种可施加三维磁场的细胞培养皿有效

专利信息
申请号: 201820177382.9 申请日: 2018-02-01
公开(公告)号: CN207944108U 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 刘敏;刘一曼;杨先卫;罗志会;朴红光;潘礼庆 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: C12M3/00 分类号: C12M3/00;C12M1/42;C12M1/22
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 成钢
地址: 443002*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种可施加三维磁场的细胞培养皿,包括培养皿,培养皿顶部设有培养皿盖,培养皿固定设置在垂直磁场发生片上,垂直磁场发生片用于生成竖直方向的磁场,垂直磁场发生片下方设有承片台,垂直磁场发生片与承片台之间活动连接,承片台设置在底座上,承片台两侧的底座上设有磁铁槽,磁铁槽内设有电磁铁,电磁铁用于生成水平方向的磁场。采用上述结构,能够对培养皿施加多角度的磁场,从而更好的研究磁场对细胞的影响。
搜索关键词: 培养皿 垂直磁场 承片台 发生片 磁场 电磁铁 细胞培养皿 三维磁场 磁铁槽 施加 底座 固定设置 活动连接 培养皿盖 竖直 细胞 研究
【主权项】:
1.一种可施加三维磁场的细胞培养皿,包括培养皿(2),其特征是:培养皿(2)顶部设有培养皿盖(1),培养皿(2)固定设置在垂直磁场发生片(5)上,垂直磁场发生片(5)用于生成竖直方向的磁场,垂直磁场发生片(5)下方设有承片台(14),垂直磁场发生片(5)与承片台(14)之间活动连接,承片台(14)设置在底座上,承片台(14)两侧的底座上设有磁铁槽(21),磁铁槽(21)内设有电磁铁(20),电磁铁(20)用于生成水平方向的磁场。
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