[实用新型]一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路有效
| 申请号： | 201820229237.0 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN208127877U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 曹然 | 申请（专利权）人： | 苏州容芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 无锡中瑞知识产权代理有限公司 32259 | 代理人： | 栗星星 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路，包括ESD偏置电路和电阻，还包括两个串联连接的增强型PHEMT管T1和T2，所述T1的源极与T2的源极连接，所述T1的漏极连接到需要ESD电路保护的芯片焊盘上，所述T2的漏极接地，所述ESD偏置电路设置有两个，分别连接在所述T1的漏极和栅极之间和所述T2的栅极和漏极之间，所述T1的栅极和源极之间连接有电阻R1，所述T2的源极和栅极之间接电阻R2。本实用新型效果采用增强型PHEMT管背靠背串联连接组成ESD保护电路，可以降低负载电容，使得本实用新型适用于高频率电路，采用串联若干个二极管提供ESD偏置电压，可以提高ESD电路的导通电压，使得本实用新型适用于高输入功率的场合，而且可在芯片内部实现，实现成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 增强型 漏极 电阻 源极 偏置电路 背靠背 高频率电路 高输入功率 二极管 导通电压 负载电容 偏置电压 芯片焊盘 源极连接 接地 串联 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路，其特征在于：包括ESD偏置电路和电阻，还包括两个串联连接的增强型PHEMT管T1和T2，所述T1的源极与T2的源极连接，所述T1的漏极连接到需要ESD保护电路保护的芯片焊盘上，所述T2的漏极接地；所述ESD偏置电路设置有两个，分别连接在所述T1的漏极和栅极之间和所述T2的栅极和漏极之间；所述电阻有两个，分别为R1和R2，所述T1的栅极和源极之间连接有电阻R1，所述T2的源极和栅极之间接电阻R2。
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