[实用新型]磁传感器有效
| 申请号： | 201820241745.0 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN208283536U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 伊藤吉博 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种磁传感器，缓和在绝缘层与磁性体层之间所产生的应力从而使得磁传感器的特性稳定。具备磁阻元件、绝缘层(12)和磁性体层(13)。绝缘层(12)覆盖磁阻元件。磁性体层(13)位于绝缘层(12)上，从与绝缘层(12)正交的方向观察而覆盖磁阻元件的至少一部分。在绝缘层(12)中至少与磁性体层(13)相接的部分包含树脂。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 磁性体层 磁传感器 磁阻元件 本实用新型 方向观察 正交的 树脂 覆盖 缓和 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其特征在于，具备：磁阻元件；绝缘层，覆盖所述磁阻元件；和磁性体层，位于所述绝缘层上，从与所述绝缘层正交的方向观察而覆盖所述磁阻元件的至少一部分，所述绝缘层中至少与所述磁性体层相接的部分包含树脂。
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