[实用新型]一种碳化硅肖特基二极管有效
| 申请号： | 201820251293.4 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN207947287U | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/24 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林晓琴 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种碳化硅肖特基二极管，包括从上到下依次设置的阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层上设有复数个沟槽，所述沟槽穿过所述p型外延层，所述阳极金属一侧面设有复数个突起部，所述突起部与所述沟槽相匹配；利用沟槽结构，在保证阻断电压的基础上，增大肖特基二极管的阳极接触区域面积，降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 阳极金属 碳化硅 突起部 复数 本实用新型 从上到下 导通电阻 沟槽结构 降低器件 阳极接触 依次设置 阴极金属 阻断电压 衬底 匹配 穿过 侧面 保证 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于：包括从上到下依次设置的阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层上设有复数个沟槽，所述沟槽穿过所述p型外延层，所述阳极金属一侧面设有复数个突起部，所述突起部与所述沟槽相匹配。
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