[实用新型]一种碳化硅二极管器件有效
| 申请号： | 201820254563.7 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN207868205U | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/16;H01L21/329 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林晓琴 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种碳化硅二极管器件，其元胞结构包括：自上而下以此设置阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层顶部设有接触槽，所述阳极金属底部设有突起部，所述接触槽与所述突起部相互匹配，解决结势垒肖特基二极管中，由于pn结区域的存在，导通状态下器件有效导通面积较小，导致导通电阻较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅二极管 阳极金属 接触槽 突起部 结势垒肖特基二极管 本实用新型 导通电阻 导通状态 阴极金属 有效导通 元胞结构 衬底 匹配 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅二极管器件，其特征在于：其元胞结构包括：自上而下以此设置阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层顶部设有接触槽，所述阳极金属底部设有突起部，所述接触槽与所述突起部相互匹配。
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