[实用新型]瞬态电压抑制器

摘要

本实用新型公开了瞬态电压抑制器，瞬态电压抑制器包括：半导体衬底；外延层，设置于半导体衬底的第一表面之上；第一埋层和第二埋层，第一埋层的第一部分与第二埋层形成第一瞬态电压抑制管，第一埋层的第二部分与半导体衬底形成第二瞬态电压抑制管，第一埋层的第一部分和第二部分不互连；多个隔离区，分别从外延层表面延伸至第一埋层或第二埋层内；多个阱区，从外延层表面延伸至外延层内，其中，第一埋层的第一部分与半导体衬底形成PN结，且第一埋层的第一部分与半导体衬底电相连以使PN结被短路。本实用新型提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其中，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第一掺杂类型的外延层，设置于所述半导体衬底的第一表面之上；第二掺杂类型的第一埋层和第一掺杂类型的第二埋层，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，所述第一埋层从所述半导体衬底的第一表面向所述半导体衬底内延伸，所述第一埋层的第一部分与所述第二埋层形成第一瞬态电压抑制管，所述第一埋层的第二部分与所述半导体衬底形成第二瞬态电压抑制管，所述第一埋层的第一部分和第二部分不互连；多个隔离区，分别从所述外延层表面延伸至所述第一埋层或所述第二埋层内；多个阱区，从所述外延层表面延伸至所述外延层内，其中，所述第一埋层的第一部分与所述半导体衬底形成PN结，且所述第一埋层的第一部分与所述半导体衬底电相连以使所述PN结被短路，所述第一瞬态电压抑制管和所述第二瞬态电压抑制管分别连接在第一电极和第二电极之间，所述第二瞬态电压抑制管的阴极经所述半导体衬底与所述第一瞬态电压抑制管的阳极电相连。