[实用新型]一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器有效
申请号: | 201820271210.8 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN208062085U | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 高娜;冯向;黄凯;葛树成;李书平;康俊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;张迪 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种紫外‑红外双波段集成p‑i‑n型光电探测器,包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格;n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域;外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极,p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极;非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁,也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁,实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别;红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。 | ||
搜索关键词: | 超短周期 超晶格 红外双波段 非掺杂 光电探测器 量子能级 外露区域 上表面 价带 跃迁 红外光 载流子 本实用新型 光信号探测 载流子吸收 紫外光照射 层叠设置 红外波段 信号通过 光吸收 缓冲层 光子 衬底 导带 入射 掺杂 探测 协同 侧面 响应 | ||
【主权项】:
1.一种紫外‑红外双波段集成p‑i‑n型光电探测器,其特征在于:包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格;所述n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域;所述外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极,所述p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极;所述非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁,也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁,实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别;红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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