[实用新型]一种高能注入埋层双通道LDMOS器件有效
| 申请号： | 201820293375.5 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN207896096U | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 毛焜;姚尧 | 申请（专利权）人： | 成都信息工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610225 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高能注入埋层双通道LDMOS器件，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，从深N阱的顶部至内部依次形成有P型帽层和至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层。本实用新型能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 深N阱 埋层 衬底 本实用新型 多晶硅栅 双通道 源极 比导通电阻 击穿电压 交界区域 绝缘隔离 漏极 | ||
【主权项】：
1.一种高能注入埋层双通道LDMOS器件，其特征在于，包括P型衬底，所述P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，从所述深N阱的顶部至内部依次形成有P型帽层和至少一层注入埋层，所述深N阱远离所述P阱的一侧形成有N+漏极，所述P阱上形成有N+源极和P+源极，在所述深N阱与P阱交界区域上方的所述P型衬底上形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅与所述深N阱和P阱绝缘隔离，其中，所述注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层。
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