[实用新型]优化碳化硅MOSFET开通波形的开环驱动电路有效
| 申请号： | 201820297655.3 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN208272946U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陆海峰;韩洋;柴建云;李永东 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/0814 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种优化碳化硅MOSFET开通波形的开环驱动电路，包括：驱动电压波形发生器，用于产生一个预设上升沿的驱动电压波形；变门极驱动电阻控制电路，用于在开通暂态过程的不同阶段控制门极驱动电阻的大小，其中，在电流上升阶段，碳化硅MOSFET的栅源电压变化率和驱动电压上升变化率一致，以通过控制驱动电压上升变化率控制电流上升变化率和反向电流；在电压下降阶段，增加门极电流，以加速电压下降过程，并减小开通损耗；在稳定导通阶段，增加门极阻尼电阻，以在不影响开关速度下，抑制门极电压超调。该驱动电路结构简单，较易实现，成本较低，可在减小开通损耗的情况下，同时抑制反向电流尖峰和门极电压超调。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅MOSFET 驱动电路 门极 驱动电压波形 门极电压 驱动电阻 上升变化 开通 变化率 超调 减小 开环 反向电流尖峰 开通暂态过程 本实用新型 电流上升 电压上升 电压下降 反向电流 加速电压 阶段控制 控制电流 控制电路 控制驱动 门极电流 驱动电压 下降过程 影响开关 栅源电压 阻尼电阻 发生器 上升沿 导通 预设 优化 | ||
【主权项】：
1.一种优化碳化硅MOSFET开通波形的开环驱动电路，其特征在于，包括：驱动电压波形发生器，用于产生一个预设上升沿的驱动电压波形；变门极驱动电阻控制电路，用于在开通暂态过程的不同阶段控制门极驱动电阻的大小，其中，在电流上升阶段，碳化硅MOSFET的栅源电压变化率和驱动电压上升变化率一致，以通过控制所述驱动电压上升变化率控制电流上升变化率和反向电流；在电压下降阶段，增加门极电流，以加速电压下降过程，并减小开通损耗；在稳定导通阶段，增加门极阻尼电阻，以在不影响开关速度下，抑制门极电压超调。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820297655.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：单火线供电开关
- 下一篇：一种新型MOSFET驱动电路
