[实用新型]一种双向TVS二极管有效
| 申请号： | 201820310550.7 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN207868204U | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 付建峰;项继超;陈付勇;杨松翰 | 申请（专利权）人： | 深圳市优恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种双向TVS二极管，包括N型衬底、N型外延层、第一扩散区、第二扩散区、N型多晶硅、钝化保护层、第一电极金属层以及第二电极金属层，通过增加第一扩散区与N型外延层之间的结面积使得双向TVS二极管的放电面积增加，从而达到更高的浪涌承载能力，解决了现有的双向TVS二极管放电面积较小，导致芯片面积使用率较低甚至影响TVS二极管的防浪涌能力的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散区 金属层 放电 本实用新型 钝化保护层 面积使用率 承载能力 第二电极 第一电极 面积增加 防浪涌 衬底 浪涌 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种双向TVS二极管，其特征在于，包括：N型衬底；形成于所述N型衬底上的N型外延层，所述N型外延层上开设有第一沟槽；形成于所述第一沟槽内壁的第一扩散区，所述第一扩散区呈“U”形结构；填充于所述第一扩散区内的第二扩散区，且所述第二扩散区的表面开设有第三沟槽；填充于所述第三沟槽中的N型多晶硅；形成于所述第一扩散区和所述第二扩散区上的钝化保护层；形成于所述N型多晶硅之上的第一电极金属层；位于N型衬底外侧的第二电极金属层。
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