[实用新型]MOS管保持电路

摘要

MOS管保持电路，涉及电路保持领域。本实用新型是为了解决现有的MOS保持电路结构单一并且复杂的问题。当A提供一个置低的触发信号时，此时双时基集成芯片NE556置位，双时基集成芯片NE556的5号引脚输出高电平，从三极管VD1集电极流出的电流通过二极管D2给电容C4充电，同时MOS管Q1导通，此时，中间继电器K1线圈吸合，中间继电器K1常闭触点K1‑1断开，直到双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压充至2/3电源电压时，双时基集成芯片NE556自动复位，后续电路不工作，电容C4放电维持MOS管Q1导通，直到电容C4放电结束，中间继电器K1线圈释放，中间继电器K1常闭触点K1‑1闭合，此时通过闭合的中间继电器K1常闭触点K1‑1将双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压释放掉，为下一次给双时基集成芯片NE556的6号引脚提供置低的触发信号做准备。它用于保持MOS管Q1导通。

主权项

1.MOS管保持电路，其特征在于，它包括电阻R1‑R6、电解电容C1‑C3、电容C4、PNP三极管VD1、二极管D1‑D2、中间继电器K1、电压比较器、双时基集成芯片NE556和MOS管Q1，双时基集成芯片NE556的6号引脚作为信号输入端，电阻R1的一端同时连接双时基集成芯片NE556的14号引脚、电阻R2的一端、电阻R4的一端、PNP三极管VD1的发射极、MOS管Q1的漏极和直流电源，电阻R1的另一端同时连接双时基集成芯片NE556的1号引脚、双时基集成芯片NE556的2号引脚、电解电容C1的正极和中间继电器K1常闭触点K1‑1的一端，中间继电器K1常闭触点K1‑1的另一端、电解电容C1的负极和电容C3的一端均连接电源地，电容C3的另一端连接双时基集成芯片NE556的3号引脚，双时基集成芯片NE556的4号引脚同时连接电解电容C2的正极和电阻R2的另一端，电解电容C2的负极连接电源地，双时基集成芯片NE556的5号引脚连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接电压比较器的正相输入端，电压比较器的负相输入端同时连接二极管D1的正极和电阻R4的另一端，二极管D1的负极连接电源地，电压比较器的输出端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接PNP三极管VD1的基极，PNP三极管VD1的集电极连接二极管D2的正极，二极管D2的负极同时连接电阻R6的一端、电容C4的一端和MOS管的栅极，电阻R6的另一端、电容C4的另一端和中间继电器K1的一端均连接电源地，中间继电器K1的另一端连接MOS管的源极。