[实用新型]沟槽栅场截止逆导型IGBT有效
| 申请号： | 201820313600.7 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN207938615U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 刘志红 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 沟槽栅场截止逆导型IGBT，它是在N‑Base高电阻率半导体材料表面形成P Base区，在P Base区表面沿器件横向方向分别并列交替形成N+发射区和P+体接触区；在N+发射区紧临区域形成贯穿P Base区、且底部与N‑Base高电阻率半导体区相接触的沟槽区，沟槽区由位于槽内壁的绝缘介质层和由绝缘介质层包围的导电材料构成，由沟槽区中的导电材料引出栅电极，形成沟槽栅结构；N+发射区和P+体接触区的共同引出端为发射极电极；在N‑Base高电阻率半导体区的背面，沿器件横向方向由连续交替变换的N+型区和P+型区形成集电区，N+型区和P+型区的共同引出端为集电极；集电区的顶部引入具有电场截止作用的重掺杂N型缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 高电阻率 发射区 沟槽区 绝缘介质层 半导体区 导电材料 器件横向 体接触区 沟槽栅 集电区 逆导型 引出端 半导体材料表面 截止 发射极电极 沟槽栅结构 电场 交替变换 交替形成 截止作用 区域形成 槽内壁 集电极 区表面 栅电极 重掺杂 背面 并列 包围 引入 贯穿 | ||
【主权项】：
1.沟槽栅场截止逆导型IGBT，其特征在于：在N‑ Base高电阻率半导体材料表面形成P Base区（1），在所述P Base区（1）表面沿器件横向方向分别并列交替形成N+发射区（31、32）和P+体接触区（41、42、43、44）；在N+发射区（31、32）紧临区域形成贯穿P Base区（1）、且底部与N‑ Base高电阻率半导体区相接触的沟槽区（2），沟槽区（2）由位于槽内壁的绝缘介质层（21）和由绝缘介质层（21）包围的导电材料（22）构成，由沟槽区（2）中的导电材料（22）引出栅电极，形成沟槽栅结构；所述N+发射区（31、32）和P+体接触区（41、42、43、44）的共同引出端为发射极电极；在N‑ Base高电阻率半导体区的背面，沿器件横向方向由连续交替变换的N+型区（52）和P+型区（51）形成集电区，所述N+型区（52）和P+型区（51）的共同引出端为集电极；所述集电区的顶部引入具有电场截止作用的重掺杂N型缓冲层（6），所述重掺杂N型缓冲层（6）沿器件横向方向分布，位于N‑ Base高电阻率半导体区和集电区之间。
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