[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201820321127.7 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN208690261U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | B·A·瓦尔特斯塔;N·W·查普曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及图像传感器。本实用新型的一个目的是提供图像传感器。该图像传感器包括：非矩形像素，所述非矩形像素具有第一光敏区和第二光敏区；以及微透镜，所述微透镜覆盖所述第一光敏区和所述第二光敏区。一个实施例已经解决了技术问题中的至少一个并且实现了本实用新型的相应的有利效果。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 光敏区 本实用新型 非矩形像素 微透镜 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：非矩形像素，所述非矩形像素具有第一光敏区和第二光敏区；以及微透镜，所述微透镜覆盖所述第一光敏区和所述第二光敏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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