[实用新型]图像传感器

摘要

本实用新型涉及图像传感器。公开了一种背照式图像传感器，所述背照式图像传感器可使用单光子雪崩二极管(SPAD)概念在盖革操作模式下进行操作以便实现单光子检测。所述图像传感器可使用与绝缘体上硅(SOI)芯片堆叠的两层实现。顶级图像感测芯片与第二级ASIC电路芯片之间的芯片到芯片电连接可在每个像素处通过每个像素的单个凸块连接来实现。光水平信号可从具有光子计数能力的像素获得，而用于3维成像的距离测量信号可从具有飞行时间(ToF)检测能力的像素获得。这两种类型的像素可集成在相同阵列内并且使用置于顶部芯片上的相同SPAD结构。

主权项

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：第一衬底；所述第一衬底中的多个单光子雪崩二极管；多个导电互连件；第二衬底，其中每个单光子雪崩二极管具有所述多个导电互连件中的将所述第一衬底耦接到所述第二衬底的对应导电互连件；所述第二衬底中的脉冲计数电路，所述脉冲计数电路被配置为响应于来自所述多个单光子雪崩二极管中的至少第一单光子雪崩二极管的信号而生成光水平信号；以及飞行时间‑电压转换器电路，所述飞行时间‑电压转换器电路被配置为响应于来自所述多个单光子雪崩二极管中的至少第二单光子雪崩二极管的信号而生成具有飞行时间信息的信号。