[实用新型]一种具有新型管路结构的蚀刻装置有效
| 申请号： | 201820355416.9 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN207883665U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 许孟凯;林张鸿;黄建顺;王嘉伟;陈胜男;林豪;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351117 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种具有新型管路结构的蚀刻装置，包括反应槽、第一管路、第二管路、循环洁净单元和喷淋单元，循环洁净单元通过第一管路与反应槽底部连通，循环洁净单元通过第二管路与喷淋单元连通，循环洁净单元用于抽取反应槽的液体并过滤后从喷淋单元喷出，喷淋单元设置在反应槽的槽口且喷淋方向指向反应槽的槽口。上述技术方案通过循环洁净单元抽取反应槽内的溶液，并在过滤洁净后对反应后的晶圆进行冲刷，避免晶圆上的反应物残留，进而提高化学蚀刻的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 反应槽 洁净单元 喷淋 蚀刻装置 新型管路 槽口 晶圆 抽取 过滤 本实用新型 单元设置 底部连通 方向指向 化学蚀刻 反应物 喷出 冲刷 连通 残留 洁净 | ||
【主权项】：
1.一种具有新型管路结构的蚀刻装置，其特征在于：包括反应槽、第一管路、第二管路、循环洁净单元和喷淋单元，循环洁净单元通过第一管路与反应槽底部连通，循环洁净单元通过第二管路与喷淋单元连通，循环洁净单元用于抽取反应槽的液体并过滤后从喷淋单元喷出，喷淋单元设置在反应槽的槽口且喷淋方向指向反应槽的槽口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省福联集成电路有限公司，未经福建省福联集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820355416.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种均匀场流的蚀刻装置
- 下一篇：一种可改变硅片进出方向的硅片盒
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
