[实用新型]非对称端口SIW滤波器有效

专利信息
申请号: 201820357679.3 申请日: 2018-03-16
公开(公告)号: CN208507901U 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 钟丽 申请(专利权)人: 成都职业技术学院
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P1/203
代理公司: 成都瑞创华盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51270 代理人: 邓瑞;辜强
地址: 610041 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种非对称端口SIW滤波器,该滤波器包括位于介质基板层上表面的第一金属印刷层和位于介质基板层下表面的第二金属印刷层,介质基板层的上表面设有与第一金属印刷层连接的第一端口引出线和第二端口引出线,介质基板层上布设有用于连通第一金属印刷层和第二金属印刷层的金属化过孔,第一端口引出线和第二端口引出线的微带线均为等腰梯形微带线和方形微带线的组合体,第一端口引出线和第二端口引出线相互之间位于不同的轴线方向。本实用新型可以方便的在不需要额外增加SIW基板宽度或增加其它微波转换传输线的情况下,直接通过在原有基板上改变对SIW滤波器端口方向的设置,就能灵活的实现信号在非平行方向的传输。
搜索关键词: 端口引出线 金属印刷层 介质基板层 微带线 本实用新型 非对称 上表面 基板 传输线 滤波器 金属化过孔 等腰梯形 端口方向 微波转换 轴线方向 布设 非平行 灵活的 下表面 组合体 连通 传输
【主权项】:
1.一种非对称端口SIW滤波器,其特征在于,该滤波器包括位于介质基板层上表面的第一金属印刷层和位于介质基板层下表面的第二金属印刷层,所述介质基板层的上表面设有与第一金属印刷层连接的第一端口引出线和第二端口引出线,所述介质基板层上布设有用于连通第一金属印刷层和第二金属印刷层的金属化过孔,所述第一端口引出线和第二端口引出线的微带线均为等腰梯形微带线和方形微带线的组合体,所述第一端口引出线和第二端口引出线相互之间位于不同的轴线方向,处于非平行关系。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都职业技术学院,未经成都职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820357679.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top