[实用新型]一种用于碲镉汞热处理的石墨样品架装置有效
申请号: | 201820360061.2 | 申请日: | 2018-03-16 |
公开(公告)号: | CN208869723U | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 杨朝臣;刘永锋;张传杰;杜宇;张冰洁;陈晓静 | 申请(专利权)人: | 武汉高德红外股份有限公司 |
主分类号: | C30B33/02 | 分类号: | C30B33/02;C30B29/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种用于碲镉汞热处理的石墨样品架装置,所述的样品装置架包括样品架主体、蒸汽罩、固定装置、粉末槽、封口盖、方槽,样品架主体位于蒸汽罩内,通过固定装置与蒸汽罩固定,粉末槽位于样品架主体上,封口盖与粉末槽相对应,方槽位于粉末槽下方,并位于样品架主体上,组装后只有样品架底座与蒸汽罩是密封部位,其他位置都处于一个整体的石墨蒸汽罩内,减少了汞蒸汽泄漏部位,并且HgCdTe外延片的放置方式是竖直的,处理相同规格和数量的外延片可减小样品架的尺寸,密封部位尺寸将进一步减少,能更好地提高石墨样品架装置的密封性能,可减少HgTe粉末量的使用,节约了能源,保护了环境。 | ||
搜索关键词: | 蒸汽罩 样品架主体 粉末槽 石墨样品 热处理 固定装置 密封部位 封口盖 外延片 样品架 碲镉汞 方槽 本实用新型 放置方式 密封性能 泄漏部位 样品装置 石墨 粉末量 汞蒸汽 底座 减小 竖直 组装 节约 能源 | ||
【主权项】:
1.一种用于碲镉汞热处理的石墨样品架装置,其特征在于所述的样品架装置包括样品架主体、蒸汽罩、固定装置、粉末槽、封口盖、方槽,样品架主体位于蒸汽罩内,通过固定装置与蒸汽罩固定,粉末槽位于样品架主体上,封口盖与粉末槽相对应,方槽位于粉末槽下方,并位于样品架主体上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉高德红外股份有限公司,未经武汉高德红外股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820360061.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种底座可移动的蓝宝石晶体生长炉
- 下一篇:半导体单晶炉大尺寸温场