[实用新型]一种外包覆式高效能低漏电流的肖基二极管结构有效
| 申请号： | 201820365004.3 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN208045506U | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张峻玮 | 申请（专利权）人： | 张峻玮 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 郑玉洁 |
| 地址： | 中国台湾新竹县芎*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种外包覆式高效能低漏电流的肖基二极管结构，包括一下金属层，其作为欧姆接口；一基板位于该下金属层上方；一磊晶层位于该基板的上方，且具有第一导电形态；该磊晶层掺杂形式与该基板相同，且其掺杂浓度较小；一上金属层位于该磊晶层上方，该上金属层作为肖基接口；两个保护区，位于该磊晶层两侧及该上金属层的下方；各保护区由该磊晶层的上表面掺杂杂质而形成，其中该保护区的导电形式与该磊晶层的导电形式不相同；其中该上金属层、该保护区、该磊晶层及该基板的两个侧边分别形成一沟槽；以及两个挡板分别位于该沟槽中且包覆该上金属层、该保护区、该磊晶层及该基板的侧边。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶层 上金属层 保护区 基板 二极管结构 导电形式 高效能 漏电流 外包覆 侧边 掺杂 挡板 掺杂杂质 导电形态 下金属层 基接口 金属层 上表面 包覆 | ||
【主权项】：
1.一种外包覆式高效能低漏电流的肖基二极管结构，其特征在于，包括：一下金属层，其作为欧姆接口；一基板，其位于该下金属层上方；一磊晶层，其位于该基板的上方，且具有第一导电形态；该磊晶层掺杂形式与该基板相同，且其掺杂浓度小；一上金属层，其位于该磊晶层上方，该上金属层作为肖基接口；两个保护区，位于该磊晶层两侧及该上金属层的下方；各保护区由该磊晶层的上表面掺杂杂质而形成，其中，该保护区的导电形式与该磊晶层的导电形式不相同；其中，该上金属层、该保护区、该磊晶层及该基板的两个侧边分别形成一沟槽；以及两个挡板，该两个挡板分别位于该沟槽中且包覆该上金属层、该保护区、该磊晶层及该基板的侧边。
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