[实用新型]离子植入系统和静电过滤器的导电束光学器件有效

专利信息
申请号: 201820390446.3 申请日: 2018-03-21
公开(公告)号: CN208111395U 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 艾立克·赫尔曼森;菲力浦·莱恩;詹姆斯·皮克斯利 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/30
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨贝贝;臧建明
地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实用新型提供一种离子植入系统和静电过滤器的导电束光学器件。离子植入系统包括静电过滤器和电源供应器。静电过滤器位于离子植入系统的腔室内,且静电过滤器包括导电束光学器件,其中导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽。电源供应器与静电过滤器连通,且电源供应器被配置成向导电束光学器件供应电压及电流。本实用新型通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积。
搜索关键词: 光学器件 静电过滤器 导电 离子植入系统 电源供应器 本实用新型 表面特征 供应电压 连通 室内 配置
【主权项】:
1.一种离子植入系统,其特征在于,包括:静电过滤器,位于所述离子植入系统的腔室内,所述静电过滤器包括导电束光学器件,所述导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽;以及电源供应器,与所述静电过滤器连通,所述电源供应器被配置成向所述导电束光学器件供应电压及电流。
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