[实用新型]在线监测系统及半导体加工设备有效
申请号: | 201820395191.X | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN208315507U | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 肖德志;赵晋荣 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种在线监测系统及半导体加工设备,其包括第一光路、第二光路、采样频率调节单元、光电转换单元和计算单元,第一光路用于传输入射光,并将入射光向晶片表面辐射;第二光路用于接收干涉光,并将其传输至光电转换单元;该第二光路包括第一支路和第二支路,二者分别收集干涉光和等离子体反射光;采样频率调节单元用于调节采样频率;光电转换单元用于将干涉光和等离子体反射光转换为电信号,并发送至计算单元;计算单元用于根据电信号获得光强数据,并根据光强数据计算获得晶片表面厚度。本实用新型提供的在线监测系统,不仅可以实现采样频率的调节,而且采样频率的大小不会受到限制,从而可以保证精确控制晶片表面厚度。 | ||
搜索关键词: | 光路 光电转换单元 在线监测系统 采样频率 计算单元 干涉光 等离子体 半导体加工设备 采样频率调节 本实用新型 支路 光强数据 晶片表面 反射光 入射光 传输 控制晶片 发送 辐射 转换 保证 | ||
【主权项】:
1.一种在线监测系统,用于检测晶片表面厚度,其特征在于,包括第一光路、第二光路、采样频率调节单元、光电转换单元和计算单元,其中,所述第一光路用于传输入射光,并将所述入射光向所述晶片表面辐射;所述第二光路用于接收干涉光,并将其传输至所述光电转换单元,所述干涉光为经所述晶片表面反射的反射光与所述入射光形成的干涉光;并且,所述第二光路包括第一支路和第二支路,二者分别收集所述干涉光和等离子体反射光;所述采样频率调节单元用于调节采样频率,所述采样频率为开启所述第一光路和第一支路,同时关闭所述第二支路的频率;所述光电转换单元用于将所述干涉光和所述等离子体反射光转换为电信号,并发送至所述计算单元;所述计算单元用于根据所述电信号获得光强数据,并根据所述光强数据计算获得所述晶片表面厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造