[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201820397077.0 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN208127228U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;魏晓骏;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、缓冲层、第一P型半导体层、第一多量子阱层、N型半导体层、N型电极、第一P型电极、第二多量子阱层、第二P型半导体层和第二P型电极；缓冲层、第一P型半导体层、第一多量子阱层、N型半导体层、第二多量子阱层、第二P型半导体层依次层叠在衬底上，第二P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽和延伸至第一P型半导体层的第二凹槽，N型电极设置在第一凹槽内的N型半导体层上，第一P型电极设置在第二凹槽内的第一P型半导体层上，第二P型电极设置在第二P型半导体层上。本实用新型可以减小串联电阻，减少发热量，改善发光二极管芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱层 发光二极管芯片 本实用新型 缓冲层 衬底 半导体技术领域 发热量 串联电阻 依次层叠 延伸 减小 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、缓冲层、第一P型半导体层、第一多量子阱层、N型半导体层、N型电极和第一P型电极，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括第二多量子阱层、第二P型半导体层和第二P型电极；所述缓冲层、所述第一P型半导体层、所述第一多量子阱层、所述N型半导体层、所述第二多量子阱层、所述第二P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述第二P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽和延伸至所述第一P型半导体层的第二凹槽，所述N型电极设置在所述第一凹槽内的N型半导体层上，所述第一P型电极设置在所述第二凹槽内的第一P型半导体层上，所述第二P型电极设置在所述第二P型半导体层上。
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