[实用新型]腔体结构、化学气相沉积设备及处理腔室

摘要

本实用新型提供一种半导体设备腔体结构，腔体结构包括：缓冲腔室；至少一个支撑板，支撑板设置于缓冲腔室内，用于承载半导体制程中的承载盘，其中，支撑板包括：冷却层，用于冷却所述承载盘；表面膜层，形成于冷却层表面，以促进冷却层对所述承载盘进行冷却，通过上述方案，本实用新型提供一种腔体结构，其可以作为MOCVD设备的缓冲腔室，对腔室结构中的冷却结构进行改进，在冷却层的表面形成表面膜层，特别可以是黑色导热膜层，黑色导热膜层更有利于吸附来自承载盘的热量加快承载盘的冷却，并进一步配合水冷水道的热量交换，从而加快在冷却层上的承载盘降温速度。

主权项

1.一种半导体设备腔体结构，其特征在于，所述腔体结构包括：缓冲腔室；至少一个支撑板，所述支撑板设置于所述缓冲腔室内，用于承载半导体制程中的承载盘，其中，所述支撑板包括：冷却层，用于冷却所述承载盘；表面膜层，形成于所述冷却层表面，所述表面膜层用于促进所述冷却层对所述承载盘进行冷却。