[实用新型]一种适用于晶圆背面工艺的清洗花篮有效
| 申请号： | 201820411274.3 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN208142138U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 彭信军 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种适用于晶圆背面工艺的清洗花篮，包括两个滑槽板、两个镂空板和脚架，所述两个滑槽板和两个镂空板组成方形框架结构，所述两个滑槽板处于相正对位置，所述滑槽板内壁上设置有卡槽以放置晶圆载片，所述卡槽由滑槽板第一端端部向内延伸的延伸方向平行于镂空板，所述镂空板中心处镂空，一镂空板外壁上设置有用于放置在工作台上的脚架，所述脚架与工作台接触面由滑槽板第一端至其第二端向镂空板倾斜迫近。本实用新型采用镂空设计，增强药液流动速率及接触面；有利于提高湿法清洗、蚀刻及光阻去除等工艺效率。该花篮可水平和垂直两用，操作灵活简单，水平式cassette设计上增加倾斜角度，极大降低晶圆破片风险。 | ||
| 搜索关键词： | 滑槽板 镂空板 脚架 本实用新型 花篮 晶圆背面 镂空 晶圆 卡槽 清洗 方形框架结构 工作台接触面 蚀刻 方向平行 工艺效率 光阻去除 湿法清洗 药液流动 正对位置 第一端 水平式 中心处 工作台 延伸 内壁 破片 外壁 向内 载片 垂直 灵活 | ||
【主权项】：
1.一种适用于晶圆背面工艺的清洗花篮，其特征在于，包括两个滑槽板、两个镂空板和脚架，所述两个滑槽板和两个镂空板组成方形框架结构，所述两个滑槽板处于相正对位置，所述滑槽板内壁上设置有卡槽以放置晶圆载片，所述卡槽由滑槽板第一端端部向内延伸的延伸方向平行于镂空板，所述镂空板中心处镂空，一镂空板外壁上设置有用于放置在工作台上的脚架，所述脚架与工作台接触面由滑槽板第一端至其第二端向镂空板倾斜迫近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
