[实用新型]图像传感器像素单元有效
| 申请号： | 201820422648.1 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN208174816U | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | M·因诺森特;T·格蒂斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N5/225 | 分类号： | H04N5/225;H04N5/369;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高文静 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及图像传感器像素单元。所述图像传感器像素单元包括：光电二极管，所述光电二极管响应于入射光而生成电荷；第一电荷存储区、第二电荷存储区和第三电荷存储区；第一晶体管，所述第一晶体管被配置为将所述生成电荷的第一部分转移到所述第一电荷存储区；第二晶体管，所述第二晶体管被配置为将所述生成电荷的第二部分转移到所述第二电荷存储区；以及第三晶体管，所述第三晶体管被配置为将所述生成电荷的所述第二部分从所述第二电荷存储区转移到所述第三电荷存储区。本实用新型解决的一个技术问题是提供具有改进的图像传感器像素单元的成像设备。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的图像传感器像素单元和改进的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷存储区 图像传感器像素 晶体管 电荷 本实用新型 光电二极管 配置 改进 成像设备 技术效果 入射光 响应 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器像素单元，包括：光电二极管，所述光电二极管被配置为响应于光而生成图像信号；浮动扩散区；第一电荷存储结构，耦接到光电二极管与浮动扩散区之间的第一路径；以及第二电荷存储结构，耦接到光电二极管与浮动扩散区之间的第二路径，其中第一路径和第二路径是光电二极管与浮动扩散区之间的平行路径。
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