[实用新型]可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆有效
| 申请号： | 201820432955.8 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN208014653U | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张文伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 集束 晶圆 老化 本实用新型 老化处理 芯片边缘 芯片测试 探针孔 打线 减小 探针 | ||
【主权项】：
1.一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片(1)，其特征在于：还包含两根引线(2)，两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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