[实用新型]光电设备有效
| 申请号： | 201820454912.X | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN208508237U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | A·拉弗莱奎尔;M·德拉德;C·韦鲁 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型题为“具有改善的光学和电限制的垂直腔面发射半导体激光器”。本实用新型提供了一种光电设备(40)，所述光电设备(40)包括具有第一组外延层的半导体基板(42)，所述第一组外延层形成在所述基板的区域上，从而限定下分布布拉格反射器(DBR)叠堆(44)。形成在所述第一组之上的第二组外延层限定量子阱结构(46)，并且形成在所述第二组之上的第三组外延层限定上部DBR叠堆(48)。至少所述第三组外延层容纳在台面(88)中，所述台面(88)具有垂直于所述外延层的侧面。电介质涂层(94)在容纳所述第三组外延层的所述台面的至少一部分的所述侧面之上延伸。电极(54)耦接到所述外延层以便将激发电流施加至所述量子阱结构。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 光电设备 本实用新型 量子阱结构 台面 叠堆 垂直腔面发射半导体激光器 分布布拉格反射器 容纳 半导体基板 电介质涂层 电流施加 侧面 电极 基板 垂直 激发 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种光电设备，特征在于，包括：半导体基板；第一组外延层，所述第一组外延层形成在所述基板的区域上，从而限定下分布布拉格反射器DBR叠堆；第二组外延层，所述第二组外延层形成在所述第一组之上，从而限定量子阱结构；第三组外延层，所述第三组外延层形成在所述第二组之上，从而限定上部DBR叠堆，其中至少所述第三组外延层容纳在台面中，所述台面具有垂直于所述外延层的侧面；电介质涂层，所述电介质涂层在容纳所述第三组外延层的所述台面的至少一部分的所述侧面之上延伸；和电极，所述电极耦接到所述外延层以便将激发电流施加至所述量子阱结构。
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