[实用新型]一种肖特基接触二极管中的钛金属层有效
| 申请号： | 201820476741.0 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN208157418U | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 潘国刚;周卫宏;张晓新;余庆;赵铝虎;鄢细根;周桂丽;秦永星;傅劲松;何火军 | 申请（专利权）人： | 华越微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层，所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层；所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。本实用新型通过在溅射铝前，增加一层很薄的钛金属层，通过后续钛和硅发生反应形成钛硅化物层，从而改变肖特基势垒电压。通过调整不同的钛层厚度，产生不同的势垒电压，从而实现电压的可调性。 | ||
| 搜索关键词： | 钛金属层 二氧化硅层 肖特基接触 二极管 硅衬底层 溅射 本实用新型 肖特基势垒 钛硅化物层 势垒电压 可调性 铝层 钛层 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层(1)、所述硅衬底层(1)两侧有二氧化硅层(2)，其特征在于：所述的两侧二氧化硅层(2)之间的硅衬底层(1)上溅射有钛金属层(3)；所述的两侧二氧化硅层(2)、钛金属层(3)之上溅射有铝层(4)。
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