[实用新型]一种功率半导体器件终端结构

摘要

本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种功率半导体器件终端结构，包括集电极金属及位于集电极金属上方的第一导电类型漂移区，在第一导电类型漂移区表面设置有主结结构、位于主结结构外围的耐压结构及位于耐压结构外围的截止环结构，在耐压结构中，在第一导电类型漂移区表面设置若干个沟槽及若干个位于沟槽外围的第二导电类型场限环，从主结结构指向截止环结构的方向上，沟槽与第二导电类型场限环间的间距逐渐增大，在沟槽内设有位于中心区的导电多晶硅及包裹导电多晶硅的栅氧化层；本实用新型通过在终端结构的场限环一侧增加沟槽结构，能够有效提高功率器件的耐压性能，减小终端的面积，进而减小芯片的面积，降低成本。

主权项

1.一种功率半导体器件终端结构，包括用于引出集电极的集电极金属（11）及位于所述集电极金属（11）上方的第一导电类型漂移区（1），在所述第一导电类型漂移区（1）表面设置有主结结构、位于主结结构外围的耐压结构及位于耐压结构外围的截止环结构，其特征在于，在耐压结构中，在第一导电类型漂移区（1）表面设置若干个沟槽（3‑3）及若干个位于沟槽（3‑3）外围的第二导电类型场限环（3‑2），从主结结构指向截止环结构的方向上，所述沟槽（3‑3）与第二导电类型场限环（3‑2）间的间距逐渐增大，在所述沟槽（3‑3）内设有位于中心区的导电多晶硅（5）及包裹所述导电多晶硅（5）的栅氧化层（4）。