[实用新型]应用于LED驱动的低功耗防反接电路有效

专利信息
申请号: 201820498820.1 申请日: 2018-04-10
公开(公告)号: CN208127879U 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 黄明锋 申请(专利权)人: 上海小糸车灯有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201821 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种应用于LED驱动的低功耗防反接电路,包括PMOS管、第四NPN三极管和第三NPN三极管,第四NPN三极管集电极与PMOS管的漏极和第三NPN三极管的基极连接,PMOS管栅极连接第三NPN三极管集电极,PMOS管漏极和源极分别作为电压输入正极端和电压输出正极端,第四NPN三极管发射极作为电压输入负极端和电压输出负极端,第三NPN三极管基极和发射极分别经由第六电容和二极管连接第四NPN三极管发射极,二极管正极连接第三NPN三极管发射极,第四NPN三极管基极经第十电阻连接第四NPN三极管发射极。本实用新型导通电压超低,可用于逻辑控制电路,无反向漏电流,适用于PWM控制方式。
搜索关键词: 发射极 本实用新型 防反接电路 电压输出 电压输入 低功耗 负极端 正极端 漏极 逻辑控制电路 二极管连接 二极管正极 反向漏电流 导通电压 电阻连接 基极连接 电容 可用 源极 应用
【主权项】:
1.一种应用于LED驱动的低功耗防反接电路,其特征在于:包括PMOS管(Q2)、第四NPN三极管(Q4)和第三NPN三极管(Q3),第四NPN三极管(Q4)的集电极同时与所述PMOS管(Q2)的漏极和第三NPN三极管(Q3)的基极连接,所述PMOS管(Q2)的栅极经第五电阻(R5)连接第三NPN三极管(Q3)的集电极,所述PMOS管(Q2)的栅极和源极之间并连有第四电阻(R4),所述PMOS管(Q2)的漏极和源极分别作为电压输入正极端和电压输出正极端,第四NPN三极管(Q4)的发射极作为电压输入负极端和电压输出负极端,第三NPN三极管(Q3)的基极和发射极分别经由第六电容(C6)和二极管(D1)连接第四NPN三极管(Q4)的发射极,其中所述二极管(D1)的正极连接第三NPN三极管(Q3)的发射极,第四NPN三极管(Q4)的基极经第十电阻(R10)连接第四NPN三极管(Q4)的发射极,同时经第九电阻(R9)连接所述PMOS管(Q2)的源极。
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