[实用新型]一种带有AlAs腐蚀阻断层的GaAs基MHEMT外延材料结构有效
| 申请号： | 201820500172.9 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN208336234U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋建 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种带有AlAs腐蚀阻断层的GaAs基MHEMT外延材料结构，该结构由GaAs半绝缘衬底(1)上依次生长的InAlAs缓冲层(2)、InGaAs沟道层(3)、InAlAs隔离层(4)、平面掺杂层(5)、InAlAs势垒层(6)、AlAs势垒层兼腐蚀阻断层(7)、InGaAs重掺杂帽层(8)组成。高In组分的InGaAs沟道能有效降低电子有效质量，加强对沟道二维电子气的限制，减少掺杂电离层对沟道电子的散射，从而大大提高沟道电子的室温迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 阻断层 外延材料结构 沟道电子 势垒层 腐蚀 沟道 本实用新型 二维电子气 平面掺杂层 重掺杂帽层 电离层 有效质量 半绝缘 隔离层 沟道层 缓冲层 迁移率 散射 衬底 掺杂 生长 | ||
【主权项】：
1.一种带有AlAs腐蚀阻断层的GaAs基MHEMT外延材料结构，其特征在于：该结构包括GaAs半绝缘衬底(1)、InAlAs缓冲层(2)、InGaAs沟道层(3)、InAlAs隔离层(4)、平面掺杂层(5)、InAlAs势垒层(6)、AlAs势垒层兼腐蚀阻断层(7)和InGaAs重掺杂帽层(8)；在GaAs半绝缘衬底(1)上依次生长InAlAs缓冲层(2)、InGaAs沟道层(3)、InAlAs隔离层(4)、平面掺杂层(5)、InAlAs势垒层(6)、AlAs势垒层兼腐蚀阻断层(7)和InGaAs重掺杂帽层(8)。
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