[实用新型]一种InGaAsP四元系材料外延生长中III族元素的定标结构有效
| 申请号： | 201820504347.3 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN208422859U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 冯巍 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种InGaAsP四元系材料外延生长中III族元素的定标结构，具体是一种III族元素速率和组分配比定标结构；该结构包括InP衬底、InP缓冲层、InxGa1‑xP外延层和InP帽层。该定标结构的X射线衍射摇摆曲线对InP帽层厚度、InxGa1‑xP外延层厚度和组分配比敏感，测试精度高，可以同时精确获得镓、铟束源的速率以及组分配比信息。 | ||
| 搜索关键词： | 定标 组分配比 四元系材料 外延生长 外延层 帽层 本实用新型 摇摆曲线 速率和 衬底 束源 测试 敏感 | ||
【主权项】：
1.一种InGaAsP四元系材料外延生长中III族元素的定标结构，其特征在于：该结构包括InP衬底(1)、InP缓冲层(2)、InxGa1‑xP外延层(3)和InP帽层(4)；在InP衬底(1)上依次生长InP缓冲层(2)、InxGa1‑xP外延层(3)、InP帽层(4)；所述InP衬底(1)是2吋至4吋及以上的衬底片，衬底片是掺Fe半绝缘衬底或掺杂导电衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新磊半导体科技（苏州）有限公司，未经新磊半导体科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820504347.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
