[实用新型]基于光电器件的静态随机存取存储单元有效
申请号: | 201820505115.X | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN208240681U | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 陆颢瓒;高秦昌;戴瑞萍;王德波 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L29/423;H01L21/70 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 210046 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元,该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成;其中,PD1~PD4为光敏二极管,LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写,并控制存储单元的状态。本实用新型利用二极管进行存储功能,相比于传统的静态随机存取存储,其二极管工艺也具备高集成度的优点,利用光纤作为信号连接线,具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点,同时可以兼容新兴的光处理器。 | ||
搜索关键词: | 随机存取存储单元 本实用新型 光敏二极管 二极管 光电器件 读写 光纤 控制存储单元 随机存取存储 发光二极管 光纤传输线 激光二极管 信号连接线 存储功能 高集成度 光处理器 传统的 抗噪声 高抗 电源 激光 兼容 | ||
【主权项】:
1.基于光电器件的静态随机存取存储单元,其特征在于:所述基于光电器件的静态随机存取存储单元的结构主要由衬底上集成的激光二极管、光敏二极管以及光隔离墙、光学通路、放电电阻、电源引线、光纤传输线组成;其中,所述光敏二极管有4个分别为PD1~PD4,激光二极管有2个分别为LD1、LD2;PD1的N端与VDD相连,P端与LD1的P端相连;LD1的N端连接0.5VDD;LD2的N端连接0.5VDD,P端连接D4的P端,PD2的N端连接VDD;PD4的N端连接着VDD,P端通过Res连接到GND;PD3的N/P两端分别连接着节点1和2;所述LD2上方设置有Read的光纤及其连接孔,所述PD4上方设置有Write‑1的光纤及其连接孔,所述PD3上方设置有Write‑2的光纤及其连接孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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