[实用新型]一种用于制备磷化铟单晶的高压炉有效

专利信息
申请号: 201820521233.X 申请日: 2018-04-06
公开(公告)号: CN208618007U 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 文松;葛如松 申请(专利权)人: 深圳市东一晶体技术有限公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B11/00;C30B33/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518100 广东省深圳市龙华新区龙华街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种用于制备磷化铟单晶的高压炉,包括支架和炉体,所述炉体的内壁贴合有磁场线圈,所述磁场线圈内壁贴合有隔热层,所述隔热层内壁贴合有加热线圈,所述加热线圈内壁贴合有耐热层,所述耐热层内壁下端卡装有坩埚固定座,所述坩埚固定座上端卡装有坩埚,所述坩埚的外壁贴合耐热层的内壁,所述炉体的上端卡装有上封帽,所述炉体的下端卡装有下封帽,所述上封帽与下封帽之间贯穿有紧固螺杆,且紧固螺杆螺装有螺帽;在VGF生长炉炉腔内,设置均匀磁场线圈,产生诱导磁场,在单晶生长期间制造10‑20高斯的均匀磁场,结合子晶的磁性诱导,促使晶体的晶相一致性得到大幅加强,从而提高单晶体的成晶率。
搜索关键词: 炉体 坩埚 内壁贴合 耐热层 磷化铟单晶 磁场线圈 加热线圈 紧固螺杆 高压炉 固定座 上端卡 下封帽 封帽 内壁 贴合 下端 制备 诱导 螺帽 均匀磁场线圈 本实用新型 隔热层内壁 单晶生长 均匀磁场 单晶体 隔热层 结合子 晶体的 生长炉 高斯 炉腔 外壁 支架 磁场 贯穿 制造
【主权项】:
1.一种用于制备磷化铟单晶的高压炉,包括支架(1)和炉体(4),其特征在于:所述炉体(4)的内壁贴合有磁场线圈(8),所述磁场线圈(8)内壁贴合有隔热层(9),所述隔热层(9)内壁贴合有加热线圈(10),所述加热线圈(10)内壁贴合有耐热层(11),所述耐热层(11)内壁下端卡装有坩埚固定座(2),所述坩埚固定座(2)上端卡装有坩埚(5),所述坩埚(5)的外壁贴合耐热层(11)的内壁,所述炉体(4)的上端卡装有上封帽(6),所述炉体(4)的下端卡装有下封帽(15),所述上封帽(6)与下封帽(15)之间贯穿有紧固螺杆(16),且紧固螺杆(16)螺装有螺帽。
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