[实用新型]半导体器件

摘要

本实用新型至少提供一种半导体器件，包括：衬底，具有器件隔离结构和埋入式栅极；绝缘结构，覆盖埋入式栅极并形成于衬底上；位线接触栓塞，在沉积炉管机台中形成于绝缘结构中，并位于相邻两个埋入式栅极之间的衬底上方；自然氧化层，形成于衬底与位线接触栓塞之间，在同一沉积炉管机台中清洗该自然氧化层，使其厚度小于等于2埃，该技术方案可以降低接触电阻，提高电性能。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底(210)，具有器件隔离结构(253)和埋入式栅极(260)；绝缘结构(270)，覆盖所述埋入式栅极并形成于所述衬底上；位线接触栓塞(242)，在沉积炉管机台中形成于所述绝缘结构中，并位于相邻两个埋入式栅极之间的衬底上方；以及第一自然氧化层(222A)，形成于所述衬底与所述位线接触栓塞之间，在所述沉积炉管机台中清洗所述第一自然氧化层，以使所述第一自然氧化层的厚度小于等于2埃。