[实用新型]一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器有效
申请号: | 201820553183.3 | 申请日: | 2018-04-18 |
公开(公告)号: | CN208062084U | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 高娜;冯向;卢诗强;黄凯;陈航洋;李书平;康俊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/18 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;杨锴 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器,利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测,不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺,而且通过精确选择、高度集成,为多波长集成的彩色成像提供基础。本实用新型通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数,使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变;设计生长两组完全应变的超短周期超晶格,可实现针对紫外光信号的双波长探测。本实用新型通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格,使多个带隙处于预设波长范围,可获得窄线宽的更多波长紫外探测,从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。 | ||
搜索关键词: | 多波长 本实用新型 超短周期 超晶格 光电探测器 彩色成像 应力调控 窄线宽 衬底 两组 探测 双波段探测器 超晶格结构 双波长探测 紫外光信号 材料结构 高度集成 共格界面 生长过程 制备工艺 紫外探测 生长 单周期 分子层 力平衡 双波长 波长 带隙 晶向 预设 调控 | ||
【主权项】:
1.一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器,其特征在于,自下而上包括衬底、缓冲层、至少两组超短周期超晶格应变层,以及金属叉指电极;在下的超短周期超晶格应变层的阱宽大于在上的超短周期超晶格应变层的阱宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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