[实用新型]基板传送装置和基板处理装置有效
申请号: | 201820553227.2 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN208923035U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 谢伊·阿萨夫;安德鲁·康斯坦特;雅各布·纽曼;查尔斯·卡尔森;威廉·泰勒·韦弗;史蒂芬·希克森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本公开内容涉及基板传送装置和基板处理装置。本文提供用于处理基板的方法和装置。在一个实施方式中,装置包括耦接至传送腔室的装载锁定腔室。传送腔室耦接至热处理腔室,并且基板在装载锁定腔室、传送腔室和热处理腔室中的各个之间传送。在其他实施方式中,公开具有装载锁定腔室、传送腔室和热处理腔室的处理平台。本文也描述经由传送腔室的抽空测量装载锁定腔室中的氧浓度的方法。 | ||
搜索关键词: | 传送腔室 锁定腔室 热处理腔室 装载 基板处理装置 基板传送装置 耦接 方法和装置 处理基板 处理平台 基板 抽空 测量 传送 | ||
【主权项】:
1.一种基板传送装置,其特征在于,包括:装载锁定腔室,所述装载锁定腔室用于在常压下生成实质惰性的环境,所述装载锁定腔室包括:腔室主体,所述腔室主体界定处理容积;基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述处理容积中,所述基板支撑件具有多个流体导管,所述多个流体导管设置在所述基板支撑件中;盖,所述盖与所述基板支撑件相对而耦接至所述腔室主体;净化气体端口,所述净化气体端口穿过所述盖设置;和排气口,所述排气口邻近于所述基板支撑件且与所述净化气体端口相对设置在所述腔室主体中;传送腔室,所述传送腔室用于在常压下生成实质惰性的环境,所述传送腔室耦接至所述装载锁定腔室,所述传送腔室包括:腔室主体,所述腔室主体界定传送容积;机械手,所述机械手设置在所述传送容积中;多个净化气体端口,所述多个净化气体端口设置在所述腔室主体中;和排气口,所述排气口与所述多个净化气体端口相对设置在所述腔室主体中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造