[实用新型]浅沟槽隔离结构

摘要

本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，该浅沟槽隔离结构包括：一半导体基底，具有一基底上表面，半导体基底的基底上表面上设有深宽比介于10～30的至少一个隔离沟槽，用以界定出晶体管的有源区，隔离沟槽具有沟槽底部和沟槽侧壁，沟槽侧壁以非垂直的倾斜角度连接沟槽底部和基底上表面；反应内衬层，设于半导体基底上，反应内衬层覆盖所述沟槽底部、沟槽侧壁和基底上表面；沉积内衬层，设于反应内衬层上，沉积内衬层的厚度变异差值大于反应内衬层的厚度变异差值，以使沉积内衬层内有内应力；隔离填充体，设于隔离沟槽内的沉积内衬层上。本实用新型有效地避免了有源区域倒塌的发生，且可以避免空洞产生，提高晶圆产品良率。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一基底上表面，所述半导体基底的所述基底上表面上设有深宽比介于10～30的至少一个隔离沟槽，用以界定出晶体管的有源区，所述隔离沟槽具有沟槽底部和沟槽侧壁，所述沟槽侧壁以非垂直的倾斜角度连接所述沟槽底部和所述基底上表面；反应内衬层，设于所述半导体基底上，所述反应内衬层覆盖所述沟槽底部、所述沟槽侧壁和所述基底上表面；沉积内衬层，设于所述反应内衬层上，所述沉积内衬层的厚度变异差值大于所述反应内衬层的厚度变异差值，以使所述沉积内衬层内有内应力；隔离填充体，设于所述隔离沟槽内的所述沉积内衬层上，所述隔离填充体具有与所述沉积内衬层内有的所述内应力相反方向的固化应力。