[实用新型]MEMS器件有效
| 申请号： | 201820576800.1 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN208190922U | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 孙福河;闻永祥;刘琛;慕艾霖 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种MEMS器件，其中，包括具有第一空腔的衬底；第一牺牲层，位于衬底上；第一背极板层，位于第一牺牲层上，第一背极板层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一背极板层上；振膜层，位于第二牺牲层上，振膜层的至少一部分由第二牺牲层支撑，使得振膜层与第一背极板层形成第一电容器；第三牺牲层，位于振膜层上；第二背极板层，位于第三牺牲层上，第二背极板层的至少一部分由第三牺牲层支撑，使得第二背极板层与振膜层形成第二电容器。通过将振膜层放置在第一背极板层以及第二背极板层之间，所形成的两个可变电容器进而组成差分式电容结构，满足市场对硅麦克风高灵敏度、低噪声的需求，从而提高MEMS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 背极板 牺牲层 振膜层 衬底 支撑 电容器 第一电容器 可变电容器 第一空腔 电容结构 高灵敏度 硅麦克风 差分式 低噪声 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底上，所述第一牺牲层中具有第二空腔；第一背极板层，位于所述第一牺牲层上，所述第一背极板层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述第一背极板层上，所述第二牺牲层中具有第三空腔；振膜层，位于所述第二牺牲层上，所述振膜层的至少一部分由所述第二牺牲层支撑，使得所述振膜层与所述第一背极板层形成第一电容器；第三牺牲层，位于所述振膜层上，所述第三牺牲层中具有第四空腔；第二背极板层，位于所述第三牺牲层上，所述第二背极板层的至少一部分由所述第三牺牲层支撑，使得所述第二背极板层与所述振膜层形成第二电容器，其中，所述MEMS器件还包括用于限定所述第二至第四空腔至少之一的横向尺寸的多个停止层。
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