[实用新型]一种基于MJT技术的倒装RCLED

摘要

本实用新型公开了一种基于MJT技术的倒装RCLED，包括圆形衬底、上布拉格发射镜、N型氮化镓、多量子肼、P型氮化镓、下布拉格发射镜、金锡共晶焊和氮化铝陶瓷基板，电流通过氮化铝陶瓷基板下方的焊盘进入P型电极，空穴注入量子阱，与来自N型区域的电子复合发光，流入N型氮化镓的未复合完毕的空穴通过金属互联流入下一个PN结，再注入到量子阱与电子复合。两个PN结的量子阱区复合发出的光，经过高反射率的下布拉格反射镜和低反射率的上布拉格反射镜的模式修饰，产生光谱半峰宽很窄的单色光辐射，经过图形衬底和表面结构辐射出去，两个有源区分散了电流注入密度，温度均匀分布，结合倒装结构，缩短了散热路径，极大改善了器件的热特性、可靠性和寿命。

主权项

1.一种基于MJT技术的倒装RCLED，包括表面结构(1)、圆形衬底(2)、缓冲层(3)、上布拉格发射镜(4)、N型氮化镓(5)、多量子肼(6)、P型氮化镓(7)、金属互联(8)、下布拉格发射镜(9)、金锡共晶焊(10)、氮化铝陶瓷基板(11)、透明导电层(12)、P型电极(13)和N型电极(14)，其特征在于，在圆形衬底(2)表面用纳米压印技术压出均匀分布的表面凸起，形成表面结构(1)，然后再对圆形衬底(2)背面进行保护后湿法腐蚀表面，腐蚀出半球状图形，形成缓冲层(3)；然后在MOCVD中生长缓冲层(3)、5对上布拉格反射镜(4)、N型氮化镓(5)、多量子肼(6)、P型氮化镓(7)和34对下布拉格反射镜(9)；在高氧浓度氛围溅射ITO透明导电电流扩展层，即透明导电层(12)，光刻腐蚀互联槽，用PECVD淀积镍金金属互联填充物，在淀积二氧化硅保护；光刻腐蚀引线槽，淀积金锡电极；对衬底进行等离子刻蚀减薄，并制作表面结构(1)；将芯片共晶焊至氮化铝陶瓷基板(11)上；用金属互联(8)将两个PN结串联；器件在衬底正向生长后倒装于氮化铝陶瓷基板(11)上。