[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201820623360.0 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN208444855U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李若雅;汪琼;祝庆;陈柏君;陈柏松 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种发光二极管，所述发光二极管包括所述衬底、所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层和所述复合导电层。所述第一半导体层设置于所述衬底的表面。所述活性层设置于所述第一半导体层远离所述衬底的表面。所述第二半导体层设置于所述活性层远离所述第一半导体层的表面。所述复合导电层包括所述石墨烯层状薄膜和多个所述Zn‑Sn‑O纳米线。所述石墨烯层状薄膜设置于所述第二半导体层远离所述活性层的表面。多个所述Zn‑Sn‑O纳米线间隔设置于所述石墨烯层状薄膜远离所述第二半导体层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 活性层 发光二极管 层状薄膜 石墨烯 衬底 复合导电层 纳米线 间隔设置 申请 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管(100)包括：衬底(10)；第一半导体层(20)，设置于所述衬底(10)表面；活性层(30)，设置于所述第一半导体层(20)远离所述衬底(10)的表面；第二半导体层(40)，设置于所述活性层(30)远离所述第一半导体层(20)的表面；复合导电层(50)，包括：石墨烯层状薄膜(51)，设置于所述第二半导体层(40)远离所述活性层(30)的表面；多个Zn‑Sn‑O纳米线(52)间隔设置于所述石墨烯层状薄膜(51)远离所述第二半导体层(40)的表面。
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