[实用新型]旋转晶圆设备有效
| 申请号： | 201820631446.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN208111415U | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 潘越 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种旋转晶圆设备，控制晶圆的蚀刻速率均匀性，包含有：蚀刻槽；至少两个导管，位于所述刻蚀槽内，所述导管内部传输蚀刻液，所述导管上设有复数个与所述导管内部相连通的喷孔，以使得所述刻蚀液经由所述喷孔喷出；至少两个滚轮轴，位于两个所述导管的中间，且所述滚轮轴轴径平行位于所述蚀刻槽底侧；轴承，与所述滚轮轴的两端分别连接；以及至少一个马达，所述马达经由传动带连接所述轴承。在喷孔喷出蚀刻液同时旋转该晶圆，使所述晶圆面内刻蚀非均匀度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 导管 滚轮轴 喷孔 晶圆设备 蚀刻槽 蚀刻液 晶圆 喷出 马达 轴承 蚀刻 本实用新型 传动带 非均匀 均匀性 刻蚀槽 刻蚀液 复数 刻蚀 圆面 轴径 平行 传输 | ||
【主权项】：
1.一种旋转晶圆设备，控制晶圆的蚀刻速率均匀性，其特征在于，所述旋转晶圆设备包含有：蚀刻槽；至少两个导管，所述导管位于所述刻蚀槽内，所述导管内部传输蚀刻液，所述导管上设有复数个与所述导管内部相连通的喷孔，以使得所述刻蚀液经由所述喷孔喷出；至少两个滚轮轴，所述滚轮轴位于所述导管的中间，且所述滚轮轴平行位于所述蚀刻槽底侧；轴承，与所述滚轮轴的两端分别连接；以及至少一个马达，所述马达经由传动带连接所述轴承。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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