[实用新型]单晶金刚石合成装置有效
| 申请号： | 201820639884.9 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN208167155U | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 | 申请（专利权）人： | 苏州贝莱克晶钻科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;王茹 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种单晶金刚石合成装置，包括微波源、等离子体耦合装置和谐振装置，所述谐振装置包括一谐振腔，所述谐振腔内具有一金刚石生长面，等离子体耦合装置能够将来自所述微波源的微波在金刚石生长面的下方激发形成等离子体。本实用新型通过在基片下表面沉积金刚石薄膜，可以有效的解决金刚石生产过程中的杂质污染。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体耦合 单晶金刚石 金刚石生长 合成装置 微波源 谐振腔 等离子体 沉积金刚石薄膜 本实用新型 金刚石生产 谐振装置 杂质污染 下表面 微波 激发 申请 | ||
【主权项】：
1.一种单晶金刚石合成装置，其特征在于，包括微波源、等离子体耦合装置和谐振装置，所述谐振装置包括一谐振腔，所述谐振腔内具有一金刚石生长面，等离子体耦合装置能够将来自所述微波源的微波在金刚石生长面的下方激发形成等离子体。
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