[实用新型]一种多路SiC MOS管驱动电路

摘要

本实用新型提供的一种多路SiC MOS管驱动电路，其特征在于：包括方波交流电源、控制电源、控制电路、第1、2～n路驱动电路；所述方波交流电源正极v_p+和负极v_p‑分别与控制电源和第1、2～n路驱动电路的正极v_p+和负极v_p+连接，控制电源输出端V_o+和接地端Gnd分别与控制电路的电源端V_cc和接地端Gnd、第1、2～n路驱动电路的+5V电源端和接地端Gnd连接，驱动脉冲的综合性能更优；克服了单独35V集成驱动器不具有控制端与功率端的隔离功能和不具有功率管过流保护功能的不足；电路结构简单、体积小、成本低、可扩展性强。

主权项

1.一种多路SiC MOS管驱动电路，其特征在于：包括方波交流电源、控制电源、控制电路、第1、2～n路驱动电路；所述方波交流电源正极vp+和负极vp‑分别与控制电源和第1、2～n路驱动电路的正极vp+和负极vp+连接，控制电源输出端Vo+和接地端Gnd分别与控制电路的电源端Vcc和接地端Gnd、第1、2～n路驱动电路的+5V电源端和接地端Gnd连接，控制电路的驱动端G1、G2～Gn与第1、2～n路驱动电路的输入驱动端G1、G2～Gn连接，第1、2～n路驱动电路的故障反馈端F1、F2～Fn与控制电路的故障反馈端F1、F2～Fn连接，第1、2～n路驱动电路输出驱动端Go1、Go2～Gon输出驱动端分别与SiC MOS管V1、V2～Vn的栅极连接，SiC MOS管V1、V2～Vn的漏极分别与第1、2～n路驱动电路的故障检测端Vce1、Vce2～Vcen连接，SiC MOS管V1、V2～Vn的源极分别与第1、2～n路驱动电路接地端Gnd1、Gnd2～Gndn连接。