[实用新型]VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构有效
| 申请号： | 201820656924.0 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN208045489U | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 周理明;王毅;赵成;韩亚;孙越;张孔欣 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。涉及电子封装技术领域，尤其涉及VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。提供了一种结构简单，有效减小芯片温升及其对器件封装结构和器件性能的影响，提高器件质量可靠性的VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。包括基板，所述基板上设有芯片焊接区；所述芯片焊接区的中心和四角端分别设有金属凸点组，所述金属凸点组包括金属中心凸点，所述金属中心凸点的外侧设有至少一个金属凸点环。所述金属凸点环包括至少两个，其从内到外依次分别为第一金属凸点环、第二金属凸点环……第n金属凸点环；n≥3，n为整数。本实用新型设计独特、结构简单、制作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 金属凸点 功率器件芯片 补偿结构 焊接层 空洞 芯片焊接区 金属中心 基板 凸点 电子封装技术 器件封装结构 本实用新型 质量可靠性 器件性能 制作方便 四角端 减小 温升 芯片 | ||
【主权项】：
1.VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构，包括基板，所述基板上设有芯片焊接区；其特征在于，所述芯片焊接区的中心和四角端分别设有金属凸点组，所述金属凸点组包括金属中心凸点，所述金属中心凸点的外侧设有至少一个金属凸点环。
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