[实用新型]硅纳米膜柔性平面栅单沟道薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201820659465.1 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN208368516U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;裴智慧 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型属于柔性器件领域，为提出柔性电子器件，减少传统硅基衬底MOSFTT晶体管的寄生效应，并可以在不同的弯曲程度之下工作。本实用新型硅纳米膜柔性平面栅单沟道薄膜晶体管，硅纳米膜柔性平面栅单沟道薄膜晶体管，聚对苯二甲酸乙二醇酯PET柔性衬底上方依次为氧化铟锡ITO中间导电层、铌铋镁BMN栅介电层、硅薄膜，硅薄膜内间隔设置有掺杂区，掺杂区上方分别设有金属漏电极、金属源电极，在穿透硅薄膜和BMN栅介电层的通孔内沉积金属直至在通孔上方形成有金属栅电极，所述金属栅电极通过所述通孔内的沉积金属直接接触ITO中间导电层，并进一步连接金属漏电极。本实用新型主要应用于柔性电子器件设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 单沟道薄膜晶体管 本实用新型 柔性平面 硅薄膜 硅纳米 通孔 柔性电子器件 金属栅电极 中间导电层 沉积金属 栅介电层 掺杂区 漏电极 聚对苯二甲酸乙二醇酯 金属源电极 寄生效应 间隔设置 连接金属 柔性器件 氧化铟锡 硅基衬 晶体管 衬底 穿透 金属 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅纳米膜柔性平面栅单沟道薄膜晶体管，其特征是，聚对苯二甲酸乙二醇酯PET柔性衬底上方依次为氧化铟锡ITO中间导电层、铌铋镁BMN栅介电层、硅薄膜，硅薄膜内间隔设置有掺杂区，掺杂区上方分别设有金属漏电极、金属源电极，在穿透硅薄膜和BMN栅介电层的通孔内沉积金属直至在通孔上方形成有金属栅电极，所述金属栅电极通过所述通孔内的沉积金属直接接触ITO中间导电层，并进一步连接金属漏电极。
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