[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201820660592.3 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN208173615U | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 林坤德;钟秉宪;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供以下一种发光二极管包括第一半导体层、发光层、第二半导体层，第二半导体层侧表面具有出光面，位于出光面表面的电流扩展条，电流扩展条下方周围的出光面为蚀刻形成的粗化处理面，其特征在于：沿着电极扩展条下方周围的出光面形成电极扩展条下方内部的横向蚀刻，横向蚀刻深度介于0‑0.8um，出光面的纵向蚀刻深度为大于等于1微米。保证出光效果以及扩展条在下方不会脱离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 出光面 蚀刻 发光二极管 电极扩展 电流扩展 横向蚀刻 本实用新型 出光面表面 出光效果 粗化处理 侧表面 发光层 脱离 保证 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括第一半导体层、发光层、第二半导体层，第二半导体层侧表面具有出光面，位于出光面表面的电极扩展条，电极扩展条下方周围的出光面为蚀刻形成的粗化处理面，其特征在于：沿着电极扩展条下方周围的出光面形成电极扩展条下方内部的横向蚀刻，横向蚀刻深度介于0‑0.8um，出光面的纵向蚀刻深度为大于等于1微米。
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