[实用新型]导电多晶硅触点的扩散生成设备有效
| 申请号： | 201820662300.X | 申请日： | 2018-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN208298802U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王宏付 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人： | 何金花 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种导电多晶硅触点的扩散生成设备，包括扩散炉管，扩散炉管内设有装置控制系统、进出晶圆盒系统、炉体加热系统和气体控制系统，气体控制系统连接至晶圆盒缓存系统，晶圆盒缓存系统用于暂时储放待装载的晶圆盒并包括氮气通入装置、氧气监测装置及气体排出装置，氮气通入装置中设有与晶圆盒连通的进气管道及与进气管道连接的气动调节阀，气体排出装置中设有与晶圆盒连通的排气管道，排气管道从所述晶圆盒的底部排出气体。本实用新型使得晶圆自然氧化层更薄，接触电阻特性更好，大大提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆盒 氮气通入装置 气体控制系统 气体排出装置 本实用新型 导电多晶硅 缓存系统 进气管道 扩散炉管 排气管道 生成设备 触点 连通 炉体加热系统 氧气监测装置 装置控制系统 气动调节阀 自然氧化层 扩散 接触电阻 排出气体 器件性能 晶圆 装载 | ||
【主权项】：
1.一种导电多晶硅触点的扩散生成设备，包括扩散炉管，所述扩散炉管内设有装置控制系统、进出晶圆盒系统、炉体加热系统和气体控制系统，其特征在于，所述气体控制系统连接至晶圆盒缓存系统，所述晶圆盒缓存系统用于暂时储放待装载的晶圆盒并包括氮气通入装置、氧气监测装置及气体排出装置，所述氮气通入装置中设有与所述晶圆盒连通的进气管道及与所述进气管道连接的气动调节阀，所述气体排出装置中设有与所述晶圆盒连通的排气管道，所述排气管道从所述晶圆盒的底部排出气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
