[实用新型]低电压余度线性区电流镜有效

专利信息
申请号: 201820674335.5 申请日: 2018-05-07
公开(公告)号: CN208110431U 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 杨仲盼 申请(专利权)人: 南京美辰微电子有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11487 代理人: 郭鸿雁
地址: 210019 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提出了一种低电压余度线性区电流镜,包括:第一MOS管、第二MOS管和运算放大器,其中,所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别与所述运算放大器的输出端相连,所述第一MOS管的源极和第二MOS管的源极分别接地,所述运算放大器的正极输入端与所述第一MOS管的漏极和电流输入端相连,以形成正反馈环路;所述运算放大器的负极输入端与所述第二MOS管的漏极和电流输出端相连,以形成负反馈环路;其中,所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极的电位相同,以使得工作在线性区的第一MOS管和第二MOS管保持相同的状态以达到电流镜像复制。本实用新型的电流镜输出节点电压可以低至几十mV,解决了电路功耗受限于电压余度的问题。
搜索关键词: 漏极 运算放大器 电流镜 本实用新型 低电压 线性区 源极 输出节点电压 放大器 电位 电流输出端 电流输入端 负反馈环路 负极输入端 输出端相连 正极输入端 电流镜像 电路功耗 在线性区 和运算 正反馈 接地 受限 复制
【主权项】:
1.一种低电压余度线性区电流镜,其特征在于,包括:第一MOS管、第二MOS管和运算放大器,其中,所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别与所述运算放大器的输出端相连,所述第一MOS管的源极和第二MOS管的源极分别接地,所述运算放大器的正极输入端与所述第一MOS管的漏极和电流输入端相连,以形成正反馈环路;所述运算放大器的负极输入端与所述第二MOS管的漏极和电流输出端相连,以形成负反馈环路;其中,所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极的电位相同,以使得工作在线性区的第一MOS管和第二MOS管保持相同的状态以达到电流镜像复制。
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