[实用新型]区熔提纯高纯锗晶体材料的装料容器有效
| 申请号： | 201820675253.2 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN208167068U | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 包文臻;任洋;李学洋;柳廷龙;普世坤 | 申请（专利权）人： | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C22B9/02 | 分类号： | C22B9/02;C22B41/00 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及区熔提纯高纯锗晶体材料的容器。为双层石英舟，双层石英之间抽真空处理，然后填充石墨层，石英舟后端设置一个挡板，将石英舟后端隔离出一个杂质收集槽，杂质收集槽为单层石英结构，挡板上还设置了凹槽。产生的熔区比传统的加热环与线圈所产生的明显变窄，且杂质分凝更好，更完全，更加符合区熔提纯原理，提纯效果更加明显。 | ||
| 搜索关键词： | 提纯 高纯锗晶体 杂质收集槽 挡板 双层石英 石英舟 本实用新型 抽真空处理 石英结构 提纯效果 装料容器 传统的 加热环 石墨层 变窄 单层 分凝 熔区 填充 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种区熔提纯高纯锗晶体材料的装料容器，为石英舟，其特征在于为双层石英舟，双层石英之间抽真空处理，然后填充石墨层，石英舟后端设置一个挡板，将石英舟后端隔离出一个杂质收集槽，杂质收集槽为单层石英结构，挡板上还设置了凹槽。
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